SiC器件的优势
碳化硅（SiC）是制作高温高频、大功率高压器件的理想材料之一。主要由硅元素和碳元素组合而成的一种化合物半导体材料。
作为第三代半导体材料的核心，主要用于功率+射频器件，适用于600V以上的高压场景，包括光伏、新能源汽车、充电桩、风电、轨道交通等等电力电子领域。
同第一代半导体材料硅 (Si) 相比，其禁带宽度是硅 (Si)的3倍,击穿电压为其8-10倍,导热率是其4-5倍，电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。
耐高压特征:阻抗更低，禁带宽度更宽，能承受更大的电流和电压，带来更小产品尺寸和更高效率
耐高频特征:不存在电流拖尾现象，是硅(Si)开关速度的3-10倍
耐高温特征:碳化硅(SiC)拥有非常高的导热率，相较硅(Si)来讲，能在更高的温度下工作